Các nhà nghiên cứu tại Singapore cho biết đã phát triển loại bộ nhớ máy tính mới vừa lưu trữ nhiều hơn, vừa có thời gian giữ nguyên vẹn dữ liệu lâu hơn 20 lần hiện tại mà không cần cung cấp năng lượng.
Công nghệ MRAM hiện hành sử dụng cấu trúc sắt từ siêu mỏng với độ dày chỉ 1 nanomet dẫn đến độ tin cậy trong sản xuất thấp và mất dữ liệu theo thời gian. Các nhà khoa học đã giải quyết vấn đề này bằng cách kết hợp vật chất từ đa lớp, tăng độ dày lên 20 nanomet thay thế cho cách truyền tải và lưu trữ cho bộ nhớ tạm này. Bên cạnh đó, điện năng sử dụng cũng thấp đi nhiều. |
Thiết kế mạch điện tử, sửa chữa động cơ, biến tần, plc, thiết kế tủ điện tại Hà Nội
0 nhận xét:
Đăng nhận xét